随着第三代半导体功率器件的迅速发展,电力及电子系统被要求在更高温度下运行。然而,基于现有商用聚合物薄膜(如双向拉伸聚丙烯,BOPP)的介质储能电容器仅能在105 °C以下工作,远远无法满足需求。研究表明,高温下聚合物电介质性能的劣化是由于其电导率随温度与电场的提高呈指数上升,从而产生大量热损耗并最终导致器件的热失控。构建聚合物纳米复合电介质被证实是一种抑制电荷载流子的注入和输运以减少电导损耗行之有效的策略。各种纳米尺寸填料(如氮化硼纳米片、Al2O3、MgO和HfO2等)已被证明能够在150 °C下显著提高复合电介质的储能密度和效率。然而,在更高温度(如200 °C)下,基于常规纳米颗粒的复合材料的储能效率显著下降,不能满足应用需求。
图1. 聚合物/无机团簇复合电介质的制备路线和表征。(a) 一种基于“位点隔离”策略的共聚合制备路线。(b) PEAA-O-AOC和PEI-O-AOC的FT-IR光谱。(c) PEI-OH和PEI-O-AOC的固态13C NMR谱
图2. PEI-O-AOC的形貌、组成与性能。(a) PEI-O-AOC在透射电镜下的形貌。(b) 通过SAXS测试得到氧化铝团簇(AOC)的尺寸分布。(c) 对PEI-OH、PEI-O-AOC和PEI-OH/Al2O3-NP的DSC测试。(d) PEI-OH、PEI-O-AOC和PEI-OH/Al2O3-NP的XPS Al2p谱。(e) PEI-OH、PEI-O-AOC和PEI-OH/Al2O3-NP的XRD测试。
图3. PEI-O-AOC的电性能和高温储能性能。(a) 200 °C下,PEI-OH、PEI-O-AOC和PEI-OH/Al2O3-NP的泄漏电流密度随外加电场的变化。(b) PEI-O-AOC在不同温度下的泄漏电流。(c) PEI-OH、PEI-O-AOC和PEI-OH/Al2O3-NP在200℃下的击穿强度。(d) 在200 ℃和100 Hz下,PEI-OH、PEI-O-AOC和PEI-OH/Al2O3-NP的高温储能性能。(e) PEI-OH、PEI-O-AOC和PEI-OH/Al2O3-NP的高温储能性能随频率的变化。(f) PEI-O-AOC与目前先进高温电介质材料在200 °C下储能密度和储能效率的比较。
图4. 利用能带和陷阱理论分析PEI-O-AOC的性能优化机制。(a) 模拟了不同尺寸下γ-Al2O3的带隙。(b) 通过紫外可见光谱测定PEI-OH、PEI-O-AOC和PEI-OH/Al2O3-NP的光学带隙。(c) 利用P-F发射机制下的Arrhenius图计算PEI-O-AOC中的陷阱深度。(d) 量子尺寸效应调制的能带结构和陷阱深度示意图。
最后,研究探讨了利用量子尺寸效应实现高温储能密度和储能效率巨大提升的物理机制。图4a计算了不同尺寸下γ-Al2O3粒子的带隙。在小尺寸下,粒子的带隙迅速上升。这显示了AOC自身的电性能优势。研究测试了PEI-OH、PEI-OH/Al2O3-NP和PEI-O-AOC的紫外可见光谱。结果表明,聚合物的带隙基本保持不变,但PEI-O-AOC显示出更平缓的吸收边。这表明PEI-O-AOC可能存在更丰富的陷阱态。基于P-F发射机制的Arrhenius图证实了这一点,并且显示PEI-O-AOC中存在深度为1.60 eV的深陷阱。量子尺寸效应对陷阱的调控可以从以下两个方面理解。首先,小尺寸团簇相比纳米粒子具有更高的比表面积。由此,表面缺陷,如悬挂键和氧空位的密度将大大提高,并最终作为载流子深陷阱存在于PEI-O-AOC中。其次,带隙增大的实质是导带底的增大和价带顶的减小。与此同时,陷阱能级却不像导带底那样随尺寸明显变化。因此,由导带底与陷阱能级之差定义的陷阱深度自然会随着尺寸的减小而增大(如图4d所示)。
所得到的聚合物/无机团簇复合电介质不仅该研究不仅兼具极高高温储能密度和储能效率,其制备过程还十分简便,与现有聚合物合成流程高度兼容,省去了传统纳米复合方法所需的超声分散等步骤。研究不仅利用量子尺寸效应显著提升了复合电介质在高温下的储能性能,还拓展了对金属氧化物能带结构和陷阱的认识,为高温复合电介质的开发提供了新思路。
论文链接:https://doi.org/10.1002/adma.202301936
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