电子科大王东升/郑永豪课题组《Adv. Sci.》:基于DASAs的光敏感二维逻辑存储器件
2023-03-13 来源:高分子科技
光作为一类刺激源,具有无接触性、高效、高时空可控性的特点,已经被证明可用于控制逻辑存储器件。光开关分子的往复异构化性质是光敏感材料与器件的核心运行机理。传统的光开关分子如偶氮苯、螺吡喃和二芳基乙烯,表现出紫外光引发的异构化反应,并存在光漂白的风险。给体-受体斯坦豪斯加合物(DASAs)作为一类新颖的光开关分子,主要由电子受体、电子给体和三烯π桥组成。DASAs表现出可见光/近红外光引发的linear-to-cyclic异构化与热引发的cyclic-to-linear异构化。然而,与传统光开关分子类似,DASAs由于分子间强烈的π-π堆积作用而在固体状态下表现出受限的异构化过程,这无疑限制了器件的光调制能力。
图1 用可见光和热调控二维逻辑存储设备的示意图。
图2. DASAs在溶液和薄膜中的异构化性能
图3. DASAs薄膜的自组装及机械性质研究。
图4. 光敏感二维逻辑存储器件的制备与性质。
图5. 二维逻辑存储器件的多状态光编程控制。
图6. 石墨烯表面DASAs异构化机理研究。
该工作通过在石墨烯晶体管器件表面引入具有不同碳链长度的DASAs制备了一系列二维逻辑存储器件,并通过对光照强度与时间进行编程实现了器件在多状态间的控制切换。在未来的工作中,需要进一步通过优化DASAs在表面的分布,以提高二维逻辑存储器件的性能。
论文链接:https://doi.org/10.1002/advs.202207443
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(责任编辑:xu)
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