自碳纳米管发现以来，低维纳米材料由于其独特形貌和结构，展现出与本体材料不同的物理和化学性质，在化工、陶瓷、建材、医疗、光电子学、通信技术等诸多领域有着广泛的应用和经济效益。在最新出版的今年第10期我国《中国物理B》（英文版）学术刊物上，优先发表了中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室的两篇有关一维硼纳米材料研究新进展的论文。

 

    探索结构和物性可控的新型低维纳米结构材料，是纳米科技的重要研究方向之一。作者在题为“硼纳米锥的形成和光致特性”的学术论文中，首次实现了低维硼纳米锥可控的生长，首次制备硼纳米锥结构材料并对其发光性质进行了研究，取得了一些进展。他们采用氢氩混合气还原硼化合物的方法，制备得到了大面积的新型一维硼纳米结构，单晶硼纳米锥。研究表明，单晶硼纳米锥具有四方的硼结构，长度为几个微米，尖端的直径为50-100纳米，底端直径为300-500纳米。在532纳米波长的光激发下，硼纳米锥获得了中心波长为650纳米的光致发光谱，这种良好的光致发光特性，将在光发射器件方面具有新的应用前景，同时硼纳米锥也是一个潜在的场发射冷阴极材料。

 

    他们的另一篇论文“单晶硼碳纳米带的合成与表征”，是以B/B2O3/C/Fe粉末为原料，以Ar气作为载气、在1100oC温度条件下，通过碳热还原的方法制备了大面积的硼碳纳米带，并具有很好的结晶性，提出硼碳纳米带形成的一种生长机理。该材料将在纳电子器件和光学器件方面具有潜在的应用价值。