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重庆大学尹志刚教授团队 The Innovation/CEJ:基于聚电解质介电薄膜的低功耗有机晶体管及其柔性存储器
2025-02-25  来源:高分子科技
  后摩尔时代对低能耗、智能化和轻量化的电子器件提出了更高需求,柔性有机晶体管技术有望突破传统晶体管的局限性,并推动新一代电子器件的应用发展。为了架构高性能柔性有机晶体管与集成器件,重庆大学输变电装备技术全国重点实验室尹志刚教授课题组结合在该领域的多年积累,研究分析了实现低功耗有机软体晶体管的主要介电工程策略(包括设计高介电常数有机绝缘材料、发展固态聚电解质介电材料以及利用液态/凝胶电解质等),并阐明了器件的工作机制,探讨了低功耗的有机晶体管及其器件阵列和集成系统在柔性可穿戴电子、生物医学电子、神经形态电子及感存算技术等领域的重要机遇和挑战(图1)。该工作发表在Cell出版社旗下高水平综合期刊The Innovation 2024, 5, 100616(并入选当期封面导读内容),对推动有机/柔性电子集成器件与设备的制造、软体电路和智能芯片等的变革性发展具有积极意义。


1. 低功耗有机软体晶体管的介电工程架构策略及新兴电子应用


  近期,尹志刚教授等人在此基础上开发出氯化锌掺杂的一类新型柔性聚电解质杂化介电薄膜材料,并用于设计和制造多级非易失性低电压柔性有机场效应晶体管(OFET)存储器。研究表明,该类存储器能在-1.5 V的低工作电压下实现0.548 V的宽记忆窗口,展现出优越的存储性能。通过调节栅极电压,该团队成功调控了新型聚电解质杂化介电薄膜中的离子迁移能力,从而赋予柔性OFET存储器出色的存储能力。存储器还能够通过编程栅极脉冲电压有效地写入数据,并依赖反向栅极脉冲电压及紫外光辐照进行数据擦除。此外,低功耗OFET存储器可被集成为柔性存储器阵列实现成像与图像处理应用。在此过程中,利用均值电流输出电路平滑成像点处的电流并成像,可以显著提高图像边缘清晰度并保留关键信息,同时减少成像图的存储空间。这一创新研究成果,展示了新型柔性聚电解质杂化介电材料及其低功耗OFET存储器在信息感知、存储与计算领域的诱人应用潜力


柔性聚电解质杂化介电薄膜的设计和特性


  该团队选择此前发明的聚丙烯酸(PAA)和聚乙二醇(PEG交联化高电容聚电解质介电复合薄膜体系,并创新性引入含量可调的ZnCl?,以获得电学性质优的柔性聚电解质杂化介电薄膜。ZnCl?的引入可以增加聚电解质体系中自由移动离子的数量,增强介电薄膜的离子迁移能力以及在低频区的双电层效应,使得OFET存储器在低电压下能够更高效地运行。研究发现,在编程栅极偏置脉冲作用下,ZnCl?掺杂聚电解质介电薄膜中的离子能够迁移至不同位置,从而促进柔性OFET多级存储特性的实现。通过能量色散X射线光谱(EDS)元素映射分析(图2,该团队验证了施加偏置电压后,掺杂ZnCl?的聚电解质杂化介电薄膜中的带电离子能够有效迁移,从而直观揭示了在电场作用下该类新型聚电解质杂化介电薄膜中离子的可控迁移能力。


2聚电解质杂化介电薄膜在不同电压作用下的元素分布状态


多级非易失性低电压OFET存储器的设计和性能


  为了设计柔性OFET存储器,该团队采用顶栅底接触式器件结构,在塑料基底上制造了基于ZnCl?掺杂聚电解质杂化介电薄膜的柔性OFET存储器(图3)。基于2.62 wt.% ZnCl?掺杂的聚电解质杂化介电薄膜,所制备的柔性OFET存储器表现出可观的电学性能,具有较小的阈值电压(?0.18 V)、较高的载流子迁移率(2.30 cm2 V?1 s?1)和开关电流比(0.66 × 10?)。研究结果表明,适量ZnCl?掺杂的聚电解质杂化介电薄膜赋予柔性OFET存储器良好的低功耗运行潜力及优良的电学性能。


3多级非易失性低电压OFET存储器的柔性器件结构和电学特性


  由于ZnCl?掺杂后薄膜的离子迁移能力增强,基于这种新型聚电解质杂化介电薄膜的可控离子迁移特性,有望提升柔性OFET存储器的存储性能(图4)。研究发现,较之未掺杂聚电解质介电薄膜的对照组器件ZnCl?掺杂的聚电解质杂化介电薄膜显著提高了OFET存储器的ΔVT,其中2.62 wt.% 和 5.23 wt.% ZnCl?含量的器件,最大记忆窗口分别从0.279 V增大至0.548 V0.411 V基于2.62 wt.% ZnCl?OFET存储器,其最大记忆窗口将近是对照组器件的两倍。结果表明,基于离子迁移的聚电解质杂化介电薄膜所构建柔性OFET存储器展现出优异的静态存储特性。通过控制不同幅度和持续时间的栅极脉冲电压,能够有效地写入数据。同时,施加反向栅极脉冲电压有助于OFET存储器的数据擦除,借助紫外光辐照则可以进一步实现数据信息的快速擦除过程。


4多级非易失性低电压OFET存储器的静态存储特性


  OFET存储器的动态存储性可通过电脉冲刺激进行有效评估。为此,研究团队进一步对该类柔性低电压OFET存储器施加了10个电脉冲,每个脉冲的持续时间为0.5秒,脉冲间隔为0.5秒。通过使用电脉冲,可以有效防止器件形成长期记忆,从而确保器件在操作过程中具备优异的可读性、效率和准确性。研究结果表明,ZnCl?掺杂引发的聚电解质杂化介电薄膜中的离子迁移效应增强,导致较大的边缘电场,从而使得电脉冲电压所产生的漏电流持续时间更长,相应器件存储性能得到大幅提升(图5)。


5多级非易失性低电压OFET存储器的动态存储特性


柔性低电压OFET存储器阵列的图像处理应用


  该研究中的柔性轻量化OFET存储器,由于采用离子迁移能力可调的新型聚电解质杂化电介质,使得器件具备低功耗运行、宽记忆窗口、多级存储以及有效擦除等功能。这些特性使得该类存储器适合进一步集成为柔性OFET存储器阵列,用于图像处理和模拟计算。研究结果表明,通过存储器阵列实现的人物电脉冲成像图可以较清晰地呈现出人物像素图中的细节,但图像边缘的清晰度仍有待提高。进一步利用简单的附加电路可实现对成像图的平滑处理,相比于存储阵列的人物电脉冲成像图,经过平滑处理后的图像较之阵列成像图在整体清晰度上有明显提升,尤其在边缘和关键点部分,在成功保留人物像素图关键信息的同时,有效缩减了原始图像约四分之三的存储空间,并能使图像平滑处理图更有形象立体感。这些结果展示了低电压柔性OFET存储器及其存储阵列在电脉冲成像、图像处理及计算等方面的潜力,尤其是在低能耗的先进信息存储技术领域具有很好应用前景。


6柔性低电压OFET存储器阵列及图像处理应用


  综上所述,该团队PAA:PEG聚电解质复合介电薄膜中率先引入氯化锌提升其离子迁移能力,并通过调节编程栅极脉冲电压实现对离子迁移效应的有效调控,从而实现多级存储特性的柔性低电压OFET存储器及存储阵列该类非易失性存储器可在-1.5 V的低工作电压下覆盖36.5%的扫描范围,呈现0.548 V的宽记忆窗口;且能通过编程栅极脉冲电压有效写入数据,并通过反向栅极脉冲与紫外光辐照进行数据信息擦除。得益于该类OFET存储器的快速存储和便捷记忆特点,器件还被集成设计为柔性低电压OFET存储阵列,实现高效的电脉冲成像和图像平滑处理应用研究结果表明,新型聚电解质杂化介电复合材料在低功耗柔性OFET器件开发中具有良好潜力,将有效推动高性能OFET存储器在先进传感、信号处理、数据存储等领域的广泛应用。


  该工作以研究全文发表在Chemical Engineering Journal 2025, 504, 158625上。文章第一作者是中国科学院大学/福建物质结构研究所硕士生刘昌东(重庆大学联合培养);论文通讯作者是重庆大学尹志刚教授;南京大学郑庆东教授对该工作给予了大力支持。该研究得到国家自然科学基金、重庆英才计划青年拔尖人才项目、国家电网总部科技项目以及重庆大学青年学者专项的共同支持。


  原文链接:

  1. Changdong Liu, Zhigang Yin*, Yuting Liu, Qingdong Zheng, Flexible polyelectrolyte hybrid dielectrics for multilevel nonvolatile low-voltage organic transistor memories. Chemical Engineering Journal, 2025, 504, 158625.

  https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.158625

  2. Ziyang Liu, Yaoshen Zhao, Zhigang Yin*, Low-power soft transistors triggering revolutionary electronics, The Innovation, 2024, 5, 100616.

  https://doi.org/10.1016/j.xinn.2024.100616


通讯作者简介:


  尹志刚教授简介:重庆大学教授、博士生导师。2011-2022年在中国科学院福建物质结构研究所历任研究实习员、助理研究员、副研究员、研究员和博导;2018-2020年留学德国柏林洪堡大学、马普学会Fritz-Haber研究所任访问学者和访问教授。2022年底调入重庆大学电气工程学院/输配电国家重点实验室任教授、博导、PI。从事光电薄膜和器件(晶体管、传感器、太阳能电池、探测器等)、柔性电子及感存算技术、新型电工材料与装备智能化的研究,主持装发预研基金、国家自然科学基金面上项目、重庆市重大专项课题等13项,在The InnovationAdv. Energy Mater.Adv. Sci.Adv. Funct. Mater.Nano Energy等期刊发表论文60余篇,被引5800多次。入选中科院青年创新促进会会员、重庆青年拔尖人才、福建省杰青、福建省高层次人才等,获国际先进材料协会科学家奖章、福建省自然科学奖、国际Vebleo协会会士、德国DAAD学者等荣誉。担任The Innovation MaterialsMaterials Today ElectronicsChip、《中国激光》等期刊学术编辑、编委或青年编委,以及中国工业合作协会新材料与能源应用专委会理事等。受邀在IEEEIAAMIACOP等国际国内学术会议任分会主席或主旨/邀请报告近30次,担任国家科技重大专项会评专家、中国南方电网会评专家等。


  招聘信息重庆大学电气学院/输变电国重实验室尹志刚教授课题组招聘,欢迎电气/电子、半导体/光电、材料/物理/化学、计算/人工智能等背景的弘深青年教师/科研博士后(待遇优厚)、访问学者、研究助理、博士生、硕士生(推免)等加入,开展有趣而重要的前沿交叉科学研究工作!有意者请联系尹老师:yinzhg@cqu.edu.cn,期待您的加盟!

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(责任编辑:xu)
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