研究集体所在单位：

 

中国科学院物理研究所

 

研究集体主要科技贡献：该研究集体通过计算、理论、实验的紧密结合，在拓扑绝缘体的研究方面取得了一系列重大突破与创新：（1）发现了Bi2Te3、Bi2Se3系列拓扑绝缘体材料，使广泛的实验研究成为可能，这也是目前国际公认的标准拓扑绝缘体材料；（2）突破单晶制备的难题，在国际上率先制备出了原子级平整的Bi2Se3、Bi2Te3单晶绝缘薄膜；（3）实验验证了拓扑绝缘体所特有的拓扑物性；（4）发现了拓扑绝缘体Bi2Te3在压力下的超导态；（5）提出了磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应、具有电荷共轭—时间反演不变性的拓扑绝缘体等新概念。

 

研究集体突出贡献者及主要科技贡献：

 

方　忠　中国科学院物理研究所

 

主要科技贡献：领导并组织实施了主要研究工作。预言了Bi2Se3、Bi2Te3系列拓扑绝缘体材料，提出了磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应。

 

戴　希　中国科学院物理研究所

 

主要科技贡献：作为主要成员参与了主要的研究工作。预言了Bi2Se3、Bi2Te3系列拓扑绝缘体材料，提出了磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应。

 

吴克辉　中国科学院物理研究所

 

主要科技贡献：通过MBE制备出了高质量的Bi2Se3、Bi2Te3单晶薄膜。

 

研究集体主要完成者及工作单位：

 

马旭村　中科院物理研究所

 

何　珂 　中科院物理研究所

 

李永庆 　中科院物理研究所

 

吕　力 　中科院物理研究所

 

靳常青　中科院物理研究所

 

孙力玲　中科院物理研究所

 

孙庆丰　中科院物理研究所

 

谢心澄　中科院物理研究所

 

姚裕贵　中科院物理研究所

 

张海军　斯坦福大学