福建物构所黄伟国研究员、方伟慧研究员 Adv. Mater.:在打破聚合物介电常数和损耗之间的“平衡”关系取得新进展
2023-09-05 来源:高分子科技
场效应晶体管(FET)是CPU、传感器和显示器的核心部件,其中,介电层对调节晶体管的整体性能方面具有至关重要的作用。目前,电介质材料仍然存在多种缺点,比如具有强偶极子耦合的铁电材料或极性聚合物电介质中的高极性基团在高电场下表现出明显的极化滞后,导致器件的高损耗。具有高介电常数的纳米颗粒添加剂虽可有效提高聚合物薄膜的电容,但同时也会增加漏电损耗并降低介电层的击穿强度。因此,聚合物介电常数和损耗之间的内在平衡已经严重阻碍了高性能聚合物介电材料的发展。
聚合物电介质设计策略的比较
原文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202306260
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