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南科大郭旭岗、冯奎团队 Angew:硒酚取代策略助力噻唑酰亚胺实现高性能n-型有机热电性能
2023-11-30  来源:高分子科技

  有机热电材料具有质量轻、可溶解加工、以及柔韧性好等特点,从而适用于制备成本低、机械性能优异的热电发电机,引起了学术界和工业界的广泛关注。在过去十年中,大量的研究工作集中在发展p-型有机热电器件,并研发出了一系列高性能的p-型有机热电材料,其最高电导率达到了1000 S cm-1,最高功率因子(PF)突破了300 μW m-1 K-2。然而,n-型有机热电器件的发展却远远滞后于p-型有机热电器件,这主要受限于材料种类较少和器件性能较差等因素。研究表明,为了克服这些挑战,设计合成具有共面性高、溶解性好的强缺电子受体基元是发展高性能n-型有机热电材料与器件的关键。


1. (a) 硒酚取代噻唑酰亚胺单DTzTI-2BrDTzSI-2Br以及对应的 (b) n-型高分子的合成路线。


  双噻吩酰亚胺及其衍生物是一类构建n-型高分子的重要单元,其构建的高分子半导体在有机场效应晶体管、有机太阳能电池和有机电化学晶体管均展现出极其优异的器件性能(Acc. Chem. Res. 2021, 54, 3804–3817)。近日,南方科技大学郭旭岗教授&冯奎副研究员团队在前期所发展出的系列高性能双噻吩酰亚胺基n-型高分子的基础上(J. Am. Chem. Soc. 2021, 143, 1539-1552; Angew. Chem. Int. Ed. 2021, 60, 24198–24205; Adv. Mater. 2022, 34, 2201340; Angew. Chem. Int. Ed. 2023, 62, e202308306; Adv. Mater. 2023, 35, 2210847; Adv. Mater. 2023, 35, 2305416; Adv. Mater. 2023, 35, 2310503),利用硒酚取代策略发展了新的缺电子噻唑酰亚胺单元DTzSI(图1a)。与噻吩的类似物(DTzTI)相比,DTzSI具有更加红移的吸收、更低的LUMO能级和更优异的共面性优势。基于这两个单体,该团队通过给体-受体共聚策略发展了一系列硒酚取代数目不同的n-型高分子半导体材料PDTzTI-TPDTzTI-SePDTzSI-TPDTzSI-Se(图1b)。


  紫外-可见吸收和电化学测试结果表明,随着硒酚取代数目增加,高分子半导体的吸收光谱发生了逐渐红移(图2a2b 同时LUMO能级呈现出逐渐降低的趋势,最低LUMO能级降至?4.02 eV,这表明硒化策略能够有效调节高分子半导体的光电特性。


2. 高分子半导体的 (a) 溶液态及 (b) 薄膜态紫外-可见吸收光谱。(c) 两种单体的循环伏安曲线(d) 两种单体以及四个高分子LUMO能级梯度示意图。


  这些高分子的低LUMO能级特性有利于进行n-型掺杂。在使用经典的N-DMBI作为分子掺杂剂时,随着能级的逐渐降低,掺杂效率逐渐提升。其中,具有最多硒酚取代数目的高分子半导体PDTzSI-Se获得了最高平均电导率164 S cm-1,该电导率是目前给体-受体型n-型高分子掺杂后取得的最高值,也远高于不含硒酚的类似物PDTzTI-S73.9 S cm-1)(图3a-3d)。当应用到有机热电器件中时,基于PDTzSI-Se的有机热电器件获得了最高49 μW m-1 K-2的功率因子,也远高于不含硒酚的高分子PDTzTI-S的器件性能(32.4 μW m-1 K-2)(图3e这些实验结果表明,多重硒酚取代是实现高掺杂电导率和优异n-型有机热电器件性能的高效策略。


3. 在不同N-DMBI浓度掺杂下(a) PDTzTI-T, (b) PDTzTI-Se, (c) PDTzSI-T(d) PDTzSI-Se的电导率和塞贝克系数曲线(e) 在不同N-DMBI浓度掺杂下,高分子半导体的n-型功率因子值(f) 已报道的n-型有机热电材料与该工作的性能对比图。


  为了研究硒酚取代策略造成的性能差异原因,作者对纯膜和掺杂薄膜进行了系统的形貌表征(图4)。研究发现,相对于不含有硒吩的PDTzTI-T,含有硒吩的PDTzTI-SePDTzSI-TPDTzSI-Se纯膜具有较π-π堆积距离。掺杂后,较大π-π堆积距离有利于掺杂剂分子的渗透,诱导分子间相互作用,带来更紧密的层状方向的堆积,提升n-掺杂效率和掺杂后高分子薄膜结晶度,从而有利于器件性能的提升


4. 高分子薄膜的掺杂和非掺杂的 (a-h) 二维和对应的 (i) 一维GIWAXS


  该工作日前以Multi-Selenophene Incorporated Thiazole Imide-Based n-Type Polymers for High-Performance Organic Thermoelectrics为题发表在《Angewandte Chemie International Edition》上,文章第一作者为博士生李永春,共同第一作者为硕士生吴汶昌。通讯作者为南方科技大学郭旭岗教授和冯奎副研究员。该项工作得到了韩国高丽大学Han Young Woo教授在形貌表征等方面测试的大力支持,同时也得到了国家自然科学基金等项目的经费支持。


  原文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/anie.202316214


  郭旭岗教授课题组网址:https://faculty.sustech.edu.cn/guoxg/

  冯奎副研究员课题组网址:https://faculty.sustech.edu.cn/?tagid=fengk&iscss=1&snapid=1&orderby=date&go=1

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