有机热电材料具有质量轻、可溶解加工、以及柔韧性好等特点,从而适用于制备成本低、机械性能优异的热电发电机,引起了学术界和工业界的广泛关注。在过去十年中,大量的研究工作集中在发展p-型有机热电器件,并研发出了一系列高性能的p-型有机热电材料,其最高电导率达到了1000 S cm-1,最高功率因子(PF)突破了300 μW m-1 K-2。然而,n-型有机热电器件的发展却远远滞后于p-型有机热电器件,这主要受限于材料种类较少和器件性能较差等因素。研究表明,为了克服这些挑战,设计合成具有共面性高、溶解性好的强缺电子受体基元是发展高性能n-型有机热电材料与器件的关键。
图1. (a) 硒酚取代噻唑酰亚胺单体DTzTI-2Br、DTzSI-2Br以及对应的 (b) 四个n-型高分子的合成路线。
双噻吩酰亚胺及其衍生物是一类构建n-型高分子的重要单元,其构建的高分子半导体在有机场效应晶体管、有机太阳能电池和有机电化学晶体管均展现出极其优异的器件性能(Acc. Chem. Res. 2021, 54, 3804–3817)。近日,南方科技大学郭旭岗教授&冯奎副研究员团队在前期所发展出的系列高性能双噻吩酰亚胺基n-型高分子的基础上(J. Am. Chem. Soc. 2021, 143, 1539-1552; Angew. Chem. Int. Ed. 2021, 60, 24198–24205; Adv. Mater. 2022, 34, 2201340; Angew. Chem. Int. Ed. 2023, 62, e202308306; Adv. Mater. 2023, 35, 2210847; Adv. Mater. 2023, 35, 2305416; Adv. Mater. 2023, 35, 2310503),利用硒酚取代策略发展了新的缺电子噻唑酰亚胺单元DTzSI(图1a)。与噻吩的类似物(DTzTI)相比,DTzSI具有更加红移的吸收、更低的LUMO能级和更优异的共面性优势。基于这两个单体,该团队通过给体-受体共聚策略发展了一系列硒酚取代数目不同的n-型高分子半导体材料PDTzTI-T,PDTzTI-Se,PDTzSI-T和PDTzSI-Se(图1b)。
图2. 高分子半导体的 (a) 溶液态及 (b) 薄膜态紫外-可见吸收光谱。(c) 两种单体的循环伏安曲线。(d) 两种单体以及四个高分子的LUMO能级梯度示意图。
图3. 在不同N-DMBI浓度掺杂下(a) PDTzTI-T, (b) PDTzTI-Se, (c) PDTzSI-T和(d) PDTzSI-Se的电导率和塞贝克系数曲线;(e) 在不同N-DMBI浓度掺杂下,高分子半导体的n-型功率因子值;(f) 已报道的n-型有机热电材料与该工作的性能对比图。
图4. 高分子薄膜的掺杂和非掺杂的 (a-h) 二维和对应的 (i) 一维GIWAXS图。
原文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/anie.202316214
郭旭岗教授课题组网址:https://faculty.sustech.edu.cn/guoxg/
冯奎副研究员课题组网址:https://faculty.sustech.edu.cn/?tagid=fengk&iscss=1&snapid=1&orderby=date&go=1
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