事实上，《EE Times》早在2006年便对这家默默无闻的公司进行过报道。另外，4DS、Qs Semiconductor与Adesto Technologies等公司同样在今年取得了不小的进步。我们还看到许多较大规模的IDM厂商也在加大对电阻式内存(RRAM)方面的投入。值得一提的还有忆阻器技术的发展，因为在电阻特性方面展现出存储效应的两个终端设备，是对惠普实验室倡导的忆阻器理论基础的实践应用。忆阻器常常被认为是继电阻器、电容器和电感器之后的第四个无源电器元件。
　　9.直通硅晶穿孔
　　先进硅芯片表面最上方的互连堆叠(interconnect stack)很深，而且会随最低几何限度有显著的差异。我们一直认为这可能会导致芯片前段(front-end)制造分成不同表面和互连(紧随更高的互连堆叠)，甚至可能在不同的芯片制造商存在。出于市场营销和技术方面的原因，这种将多裸晶(multiple die)堆叠在一个包装内的渴望还需要更复杂的互连；而直通硅晶穿孔技术(through-silicon-vi)能完全穿透硅晶片或裸晶，是制造3D包装的关键。2009年5月，Austriamicrosystems公司开始在工厂生产TSV组件，客户群体是将CMOS集成电路与传感器组件等进行3D整合的厂商。这样的组件在2010年估计会有更多。
　　10.花样翻新的电池技术
　　我们现在已经完全适应了摩尔定律和微电子产品小型化的趋势，于是很容易对任何性能无法每隔两年就大大增强的技术倍感失望。但是，电池技术已相对成熟，不像集成电路一样受同一力量的驱动。事实上，如果能量存储过于密集，会变成十分危险的事情。尽管如此，我们越来越依赖于电池去储存能量，为各种各样的电子装置供电。毋庸置疑，如果电子技术不能进一步取得突破，环保的电动车注定不会再有未来，汽车和可持续发展环保技术的结合也是一句空话。
　　我们面临的压力可想而知。近年来，以镍和锂为原料(如锂铁磷酸盐)的电池研究取得了一定进展，有望取代值得尊敬但问题多多的碱性锰干电池。从事可充电式锌空气(zinc-air)电池开发的公司ReVolt已将俄勒冈州波特兰市作为其在美国的总部和生产基地。我们估计在2010年会有更多具备智能功能的电池问世，为开发能量可控的集成电路提供机遇。