inventor/creator：王磊；郑咏梅
Paten number/application number：ZL201310310268
application/authorized announcemen date：2015-4-15
brief introduction：本发明公开了一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，属于界面化学领域。所述方法包括缓冲材料的制备，基底材料表面的修饰以及二者结合后ZnO阵列的生长的步骤。本发明解决了ZnO和高分子表面的结合问题，实现了良好的实验重复性；解决了高分子和无机ZnO材料的结合问题，可以在多种高分子材料表面实现制备；本发明的制备周期短，可以实现大规模生产。