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基于短暂性构架的高电导率石墨烯薄膜的制备方法
inventor/creator：陈国华；刘飞翔；邱欣斌；董菁；陈丹青；黄剑华
Paten number/application number：ZL201710311702.5
application/authorized announcemen date：2020-7-10
brief introduction：基于短暂性构架的高电导率石墨烯薄膜的制备方法
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