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陶氏推出VISIONPAD研磨垫
2011-4-15 来源:中国聚合物网
关键词:电子材料 研磨垫 层间电介质 聚合体化学材料

       2011年4月15日讯:陶氏电子材料推出VISIONPAD研磨垫。据专家介绍,作为全球半导体行业在化学机械研磨(CMP)技术的领导者和创新者陶氏电子材料(Dow Electronic Materials)——NYSE:DOW,在SEMICON China上展出其2款,最新的VISIONPAD™研磨垫——VISIONPAD™600和VISIONPAD™5200。这2款新研磨垫进一步拓展了陶氏,在为客户提供改进技术以实现在高端制程上研磨,和在现有制程上提高生产力的应用特殊型解决方案方面的能力。VISIONPAD™6000和 VISIONPAD™5200磨片满足多数客户的需求,目前已投入生产。陶氏电子材料全球部门总经理Sam Shoemaker表示:“陶氏的VISIONPAD™系列磨片为业界,提供了专门用于当前和新一代产品生产的无与伦比的平台。我们创新的研发工作推动了VISIONPAD™平台的发展,从而使我们能够为特殊的化学机械研磨应用提供合适的研磨垫。这些VISIONPAD™研磨垫性能较高,能够降低消费成本。”VISIONPAD™6000研磨垫具备尖端技术,专为减低层间电介质(ILD)和铜(Cu)制程的缺陷率(Defectivity),以及减低碟形缺陷(Dishing)而研发。VISIONPAD™600研磨垫采用低缺陷、低硬度聚合体化学材料制成,其孔洞大小也已得到优化,因而降低了缺陷率和碟形缺陷(Dishing),并且其研磨速率(Remove Rate)已经超过了IC1000™研磨垫。
       在客户测试中,与IC1000™磨片相比,VISIONPAD™6000研磨垫刮痕瑕疵减少了50~60%,同时将碟形缺陷(Dishing)降低了35%而晶圆非均匀性则与其相当。VISIONPAD™5200磨片提供可让钨(W)、层间电介质(ILD)和铜(Cu)块材料工艺,实现较高研磨速率(Remove Rate)的新一代技术。VISIONPAD™520研磨垫采用了独特的聚合体化学材料制成,研磨垫孔隙率较高,可以将钨(W)、层间电介质(ILD)  和铜(Cu)制程的研磨速率(Remove Rate)提高10~30%。研磨速率(Remove Rate)的提高使客户能够减少研磨时间和研磨液消耗,从而大幅降低耗材的化学机械研磨成本。据国家树脂网(www.360gsz.com)专家介绍,同时,VISIONPAD™5200磨垫产品还可将钨(W)和铜(Cu)的制程缺陷率降低10~20%,并且以陶氏标准的IC1000™研磨垫产品为基准,还可减低钨(W)制程中的碟形缺陷(Dishing)和腐蚀缺陷(Erosion)。Shoemaker 总结说:“得益于我们的全球生产能力,我们不仅能够开发 VISIONPAD™研磨垫等高级技术,而且还能实现批.0量交付,这也是陶氏与全球其它半导体制造商的主要不同之处。”为提供最高品质和一致性,所有 VISIONPAD™产品均在陶氏位于台湾、美国和日本的量产工厂采用严格的 SPC/SQC 方法生产。

(本站记者)

 

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(liu)
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