顶栅结构器件是改善器件稳定性的途径之一，研究人员开发了新的顶栅结构器件制备技术，主要包括自支撑（self-supporting）绝缘层的制备，以及自支撑绝缘层与半导体层之间自发的干法层合（图２）。由于避免了任何可能的溶剂侵蚀以及对界面的破坏，采用这种方法得到的顶栅器件具备很好的场效应性能。有关工作已申请中国发明专利，并发表在Adv. Mater., 2010, 22, 3537-3541上。

图２. 由自支撑绝缘层制备顶栅结构的有机场效应晶体管示意图

    有机半导体的主体结构是具有p结构的共轭体系，目前分子结构与性能之间的关系尚在探索中，还没有行之有效的设计原则。研究人员经过多年的摸索和不断总结（J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 13281; J. Am. Chem. Soc., 127, 15700; J. Am. Chem. Soc., 128, 15940; J. Am. Chem. Soc., 2006, 128, 16418; J. Am. Chem. Soc., 2007, 129, 1882; Adv. Mater., 2007, 19, 3037; Adv. Mater., 2008, 20, 611; Adv. Mater., 2008, 20, 1286; Adv. Mater., 2008, 20, 3289），对分子结构、凝聚态结构对器件性能影响及器件的优化有了一些认识，这些结果得到学术界同行的认可，英国皇家化学会Chemical Society Reviews发表了题为“p-Conjugated molecules with fused rings for organic field-effect transistors: design, synthesis and applications” 的Tutorial Review (Chem. Soc. Rev., 2010, 39, 1489-1502) ，系统地介绍了他们该小组近几年来在稠环p共轭分子的设计、合成和在有机场效应晶体管中的应用（图３）。

图３. 稠环p共轭分子的设计、合成和在有机场效应晶体管中的应用