图1基于FBDOPV-CNTVT的超低阈值电压的n-型有机电化学晶体管

图3 基于BDOPV型共轭聚合物的OECTs器件的测试表征

  BDOPV型共轭聚合物具有低的LUMO能级，已经被应用于高性能n-型有机场效应晶体管（OFETs）。然而关于BDOPV骨架的n-型OECTs器件研究较少。阈值电压代表晶体管器件的开启电压，对于共轭聚合物，主要受LUMO能级的影响，LUMO能级越低，越有利于电子的注入，从而开启器件。氟原子和氰基的引入已经被证实有利于进一步降低LUMO能级，从而获得更低阈值电压的n-型OECTs器件。基于以上策略，作者通过在电子供体（TVT）部分引入氰基，在电子受体（BDOPV）部分引入氟原子，实现了获得具有超低阈值电压的n-型OECTs器件的目标（图3）。此外，FBDOPV-CNTVT的OECTs器件的品质因数μC*值达到了6.13 F cm^-1 V^-1 s^-1, 2000 s的操作稳定性达到了85%。

  原文链接：https://doi.org/10.1002/adfm.202412181