采用薄膜基底有效晶格常数来计入界面晶格失配对残余应力的贡献，建立一种考虑铁电薄膜界面失配的晶粒应变模型；实验上采用掠入射X射线衍射技术，获得铁电薄膜中不同穿透深度处X射线衍射谱，从而获得不同薄膜厚度处的晶格常数，即该处单个晶粒的应变；依据压电本构方程以及薄膜/基底界面边界条件，计算出薄膜/基底体系残余应力值。在此基础上，利用该模型对不同工艺下的铁电薄膜界面残余应力进行表征，建立铁电薄膜界面残余应力与铁电薄膜制备工艺参数、主导功能特性之间的关系，实现界面残余应力调控铁电薄膜功能特性。该研究工作对提高薄膜制备质量、掌握铁电薄膜结构的形成和稳定规律以及理解界面残余应力对铁电薄膜物理性能的影响等均具有直接的指导意义。