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半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法
inventor/creator:张永才,吴晓,张明,胡效亚
Paten number/application number:ZL200510122705.1
application/authorized announcemen date:2008-1-23
brief introduction:本发明选取醋酸锌粉末到双氧水中搅拌溶解,调节其pH值约为8~11,放入密闭高压反应釜中,在190~200℃及其自身压力下水热反应12~18h,晶化产物经抽滤后用去离子水洗涤,干燥,即得所需产物。解决了模板法工艺复杂、条件苛刻、成本高、提纯难且大小受限于模板尺寸等和化学气相沉积法需贵金属催化剂,设备昂贵、能耗高,难以控制,重复性不好,产率低、颗粒大,难以规模化生产等缺陷。本发明原料便宜、无毒、无污染,无须模板和催化剂,工艺简化,成本低,易于规模化生产,产品纯六方向、粒径分布范围窄、具有优良光之发光性能的ZnO纳米囊,无其它有机物和金属离子污染