Renewables 2023-10-11 09:07 发表于广东
第一作者:喻敏
通讯作者:刘苏莉,木士春
通讯单位:南京晓庄学院,武汉理工大学
DOI:10.31635/renewables.023.202300025
本文亮点
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设计并合成了富含高能原子台阶和空位的Ce,O-Co3S4催化材料。
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构建了独特的价电子轨道耦合4f(Ce)-3d(Co)-2p(O, S)杂化,有利于中间产物的稳定和表面电荷再分配,降低了决速步反应的能垒,从而有效提高了CoOx的氧析出反应(OER)活性。
1. 研究背景
与三维过渡金属(如TM=Fe、Co、Ni等)化合物相比,二维过渡金属化合物的OER活性受到电子/质量扩散通道数量少和本征活性位点差的限制。因此,通过将原子界面缺陷与周围轨道杂化(如d-d和d-p杂化)耦合来重建二维过渡金属化合物(如二维Co3S4)原子构型是一种有潜力提高其OER动力学的策略。由于4f元素(稀土元素)的独特价态,可以形成4f-3d-2p轨道耦合的价电子交换构型,从而诱导丰富的表面自旋极化,有望为OER提供新的催化活性位点。此外,在原子水平上,界面价电子交换和重建可以诱导额外的晶格应变效应,例如晶面、台阶、边缘和角原子,在催化过程中可优化中间体的结合强度。然而,迄今为止,很少有研究证实4f诱导OER性能的详细机制以及4f-2p-3d相互作用对OER活性的具体影响。此外,将均匀分散的高能原子缺陷诱导成超薄2D纳米片也仍然面临着重大挑战。
2. 图文导读
武汉理工大学木士春教授&南京晓庄学院刘苏莉教授团队在Renewables上发表题为“Tunable Atomic-Scale Steps and Cavities Break Both Stability and Activity Limits of CoOx Nanosheets to Catalyze Oxygen Evolution”的研究论文。本文通过一种简单的方法在非晶Ce-CoOx基底上原位生成具有高度台阶界面、富含缺陷的Ce,O-Co3S4纳米片。
如图1所示,通过HAADF-STEM图像观察到合成的Ce-CoOx异质结构为少层非晶态CoOx包封的CeOx纳米颗粒的结构。EDX元素映射结果显示了Ce和非晶态CoOx的对应元素分布。进一步地,通过原子置换策略形成原子台阶式界面结构。在水热过程中,由于O空位的存在,当Ce原子进入晶格时会出现许多台阶界面(图1(e))。根据晶体生长理论,用具有更大的原子半径S代替O显然会导致催化剂的晶格应变,应变效应引起的晶格畸变和悬空键会产生丰富的催化活性位点。制备合成的Ce,O-Co3S4结构可以通过HAADF-STEM和HRTEM分析来确认。在内部结晶的Co3S4和表面非晶Ce-CoOx层之间可以观察到明显的原子台阶,具有丰富原子空位的Co3S4物种均匀分散在非晶Ce-CoOx层上。STEM元素映射图像显示了Ce,O-Co3S4纳米片中Co、S、O和Ce元素的分布情况。此外,利用原子力显微镜(AFM)表征Ce,O-Co3S4纳米片厚度为3~4 nm,表明其超薄性质。结构表征结果证明成功构建了超薄富缺陷的Ce,O-Co3S4纳米片的。
图1. 催化剂的结构表征
图2. 催化剂的结构表征
图2中,X射线衍射(XRD)特征峰对应Co3S4的存在,并验证Ce-CoOx的非晶态。拉曼光谱显示Ce,O-Co3S4催化剂的Co-O振动峰发生了正向位移,这可以归因于Ce-CoOx与Co3S4之间的电子效应,与X射线光电子能谱(XPS)结果非常吻合。Co 2p谱图证明了Ce-CoOx和Ce,O-Co3S4纳米片中Co3+和Co2+的共存。有趣的是,Ce-CoOx纳米片中的Co3+/Co2+比例为9:7,而经过S插层后,变为6:5。这有利于活性相CoOOH在OER过程中的形成。另外,与Ce-CoOx相比,Ce,O-Co3S4的O 1s谱图中晶格氧的特征峰明显向更高的结合能方向移动了约0.6 eV。这是由于晶格畸变以及悬垂键区域的Co(Ce)和晶格氧之间发生的电子密度重分布所致。此外,与Ce-CoOx相比,Ce,O-Co3S4纳米片中Co 2p或O 1s的结合能显示出负偏移,表明在Co3S4插层后,Ce-CoOx纳米片界面中的电子交换通道可以改变。附加的电子自旋共振(EPR)光谱进一步证明了Ce,O-Co3S4纳米片中氧空位的存在。与Ce-CoOx纳米片相比,Ce,O-Co3S4纳米片呈现出明显的电子自旋共振峰强度增加和位置偏移,这归因于悬垂的Co-S键。峰强度与氧空位的浓度有关。因此,上述结果证实掺杂的Ce位点扰乱了表面电荷分布,并通过调控自旋极化的4f(Ce)-2p(O, S)-3d(Co)轨道耦合效应来调整价态电子交换通道。上述原子水平上的研究结果证实了掺杂的Ce可以调节Co3+/Co2+比例并诱导表面氧缺陷,从而进一步提升OER性能。随后,在0.1 M KOH溶液中研究了Ce,O-Co3S4纳米片的催化性能。
图3. 催化剂的电化学性能测试
如图3所示,Ce,O-Co3S4纳米片在10 mA cm-2和30 mA cm-2的电流密度下仅具有307和337 mV的较低过电位。与之相比,RuO2和IrO2等贵金属催化剂在30 mA cm-2的过电位分别高达354和382 mV。此外,Ce,O-Co3S4纳米片在10 mA cm-2的过电位值低于大多数过渡金属硫化物和氧化物的值。同时,Ce,O-Co3S4纳米片的Tafel斜率(79.8 mV dec-1)比Ce-CoOx(95.7 mV dec-1)更小;Ce,O-Co3S4纳米片的活性面积约为Ce-CoOx的3倍,表明S替代和O缺陷的共存可以增强Ce-CoOx的固有活性;此外,Ce,O-Co3S4纳米片的溶液内转移电阻(41.7 Ω),比Ce-CoOx(70.8 Ω)更低,而且代表催化剂固有活性的转化频率大约是Ce-CoOx的7倍。这些结果都意味着S插层增强了Ce-CoOx的析氢反应动力学。上述结果均确认了4f(Ce)-2p(O, S)-3d(Co)轨道耦合效应对固有OER活性的显著增强。值得注意的是,Ce,O-Co3S4催化剂在10 mA cm-2的电流密度下能够保持120小时活性不衰减,并且形貌基本保持不变。但结构表征结果显示在原始催化剂表面形成了一种新的CoOOH相,表明发生了表面重构。
为了进一步探索OER过程中4f(Ce)-2p(O, S)-3d(Co)轨道耦合行为的影响,进行了原位拉曼光谱实验。如图4所示,Co-O峰在1.23至1.53 V范围内明显向低频方向移动,验证了Ce-CoOx中发生的结构转变,而Ce,O-Co3S4的拉曼光谱在相同条件下几乎没有变化。这些结果证实了掺杂的Ce位点扰乱了表面电荷分布,并通过调节自旋极化的4f(Ce)-2p(O, S)-3d(Co)轨道耦合效应促进了Co物种的结构平衡,从而影响了OER过程。为了确定Ce,O-Co3S4的真正催化机理,进一步对OER的Co位点进行了DFT计算。DFT计算结果表明自旋上的能带和自旋下的能带没有重叠,这表明纳米杂化体具有磁性。同时,计算得到的态密度(PDOS)显示,将自旋极化的4f(Ce)-2p(O, S)-3d(Co)杂化引入CoOx矩阵中将使Co的d带中心更接近费米能级,从而增强Co与中间体的相互作用,有利于OER过程。OER活性主要由铁磁性Co原子(自旋向下)诱导,表明Ce, O-Co3S4中的4f(Ce)-2p(O, S)-3d(Co)共价性得到促进,从而降低了OER过程中四个步骤的过电位。在构建4f(Ce)-2p(O, S)-3d(Co)界面结构之后,决速步反应自由能降低。总的来说,Ce的掺杂调控了Co的电子结构,并使其在OER过程中的动力学增强,这是由电子和应变效应引起的。
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图4. 催化剂的原位拉曼表征以及DFT计算分析
3. 总结与展望
本工作提出了一种原子置换策略,通过在非晶Ce-CoOx衬底上合成具有丰富缺陷的晶态Ce, O-Co3S4纳米片,作为高效的OER催化剂。研究表明,构建独特的4f(Ce)-2p(O, S)-3d(Co)价电子界面通道可以产生新的活性位点,突破了CoOx的活性极限。高能原子台阶和空位在Ce, O-Co3S4纳米片中产生无定形的CoOx表面,避免了催化过程中晶格畸变的产生。同时,部分原子置换还提供了价电子交换通道,减少了含氧中间体的吸附。通过结合原位表征和密度泛函理论(DFT)计算,发现结构中形成了独特的轨道耦合4f(Ce)-2p(O, S)-3d(Co)杂化,稳定了中间体,重新分配了表面电荷,降低了速率决定步骤的能垒,从而提高了OER的活性和稳定性。信息
原文链接:
https://www.chinesechemsoc.org/doi/10.31635/renewables.023.202300025
文章信息:
Yu M., Mu X., Meng W., Chen Z., Tong Y., Ge Y., Pang S., Li S., Liu S.*, Mu S.* Tunable Atomic-Scale Steps and Cavities Break Both Stability and Activity Limits of CoOx Nanosheets to Catalyze Oxygen Evolution. Renewables, 2023, 1(4): 465-473.