课题组拥有RTS-8型四探针测试仪，该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准而设计，是用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。测试范围宽（电阻率：10^-5～10⁵ Ω·cm，方块电阻：10^-4～10⁶ Ω/口，电导率：10^-5～10⁵ s/cm，电阻：10^-5～10⁵ Ω），精度高（±0.1%），可用于棒材电阻率、薄圆片电阻率、薄层方块电阻、反型外延层方块电阻、离子注入层方块电阻等的测定。