祝贺刘宁、伏佳彤、何攀攀、郝亮、白慧颖、胡振六位同学！
专利发明人：龚江、刘宁、伏佳彤、何攀攀、郝亮、白慧颖、胡振、牛冉
专利名称：一种利用废旧聚酯制备氮化碳半导体材料的方法及其制品
专利申请时间：2021年4月2日
专利申请号：202110360649.4
专利授权时间：2022年9月30日
专利授权号：ZL202110360649.4
专利摘要：
本发明属于氮化碳技术领域，具体涉及一种利用废旧聚酯制备氮化碳半导体材料的方法及其制品。本发明制备方法包括以下步骤：(1)将聚酯碎片、含氮前驱体化合物和锌化合物混合均匀得到混合物；(2)将混合物加热发生共聚反应，分离后即可得到石墨相氮化碳半导体材料。本发明提供一种操作简单且低成本的氮化碳材料的制备方法，不仅为大量废旧聚酯的回收再利用提供了一条新的绿色途径，也为制备带隙可调且高催化活性的石墨相氮化碳半导体材料提供了新的简便方法，具有广阔的应用前景。