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锌掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
关键字:Zn2+掺杂 In1.95Zn0.05O3固溶体 电导 酒精敏传感器
用化学共沉淀法制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉,研究了Zn2+对In2O3电导和气敏性能的影响。结果表明:ZnO与In2O3间可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);ZnIn× 缺陷电离的空穴对导带电子的湮灭,使固溶体电导变得很小;In1.95Zn0.05O3元件在223℃工作温度下对C2H5OH有很高灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型酒精敏感材料。
http://www.polymer.cn/research/ct_info296
 
锌掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
关键字:Zn2+掺杂 In1.95Zn0.05O3固溶体 电导 酒精敏传感器
用化学共沉淀法制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉,研究了Zn2+对In2O3电导和气敏性能的影响。结果表明:ZnO与In2O3间可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);ZnIn× 缺陷电离的空穴对导带电子的湮灭,使固溶体电导变得很小;In1.95Zn0.05O3元件在223℃工作温度下对C2H5OH有很高灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型酒精敏感材料。
http://www.polymer.cn/research/dis_info792
 
锌掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
关键字:Zn2+掺杂 In1.95Zn0.05O3固溶体 电导 酒精敏传感器
用化学共沉淀法制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉,研究了Zn2+对In2O3电导和气敏性能的影响。结果表明:ZnO与In2O3间可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);ZnIn× 缺陷电离的空穴对导带电子的湮灭,使固溶体电导变得很小;In1.95Zn0.05O3元件在223℃工作温度下对C2H5OH有很高灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型酒精敏感材料。
http://www.polymer.cn/research/ct_info296
 
锌掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
关键字:Zn2+掺杂 In1.95Zn0.05O3固溶体 电导 酒精敏传感器
用化学共沉淀法制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉,研究了Zn2+对In2O3电导和气敏性能的影响。结果表明:ZnO与In2O3间可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);ZnIn× 缺陷电离的空穴对导带电子的湮灭,使固溶体电导变得很小;In1.95Zn0.05O3元件在223℃工作温度下对C2H5OH有很高灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型酒精敏感材料。
http://www.polymer.cn/research/dis_info792
 
 
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