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您现在的位置:中国聚合物网 > 全站 > 物理气相沉积 的搜索结果 共有结果12,当前从第1条到第10条,本次搜索耗时0.0206668
 
PVD薄膜生长的Monte Carlo模拟
关键字:物理气相沉积 蒙特卡罗模拟 薄膜生长
蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)和分子动力学是模拟薄膜生长的两种基本方法。本文结合各种PVD技术的工艺特点,介绍了薄膜生长的Monte Carlo模拟。详尽地总结了载能粒子沉积薄膜生长的Kinetic Monte Carlo模型和算法。最后指出建立精细的模型、算法并适当应用分子动力学是提高模拟可靠性的方法。
http://www.polymer.cn/research/ct_info44
 
PVD薄膜生长的Monte Carlo模拟
关键字:物理气相沉积 蒙特卡罗模拟 薄膜生长
蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)和分子动力学是模拟薄膜生长的两种基本方法。本文结合各种PVD技术的工艺特点,介绍了薄膜生长的Monte Carlo模拟。详尽地总结了载能粒子沉积薄膜生长的Kinetic Monte Carlo模型和算法。最后指出建立精细的模型、算法并适当应用分子动力学是提高模拟可靠性的方法。
http://www.polymer.cn/research/dis_info134
 
PVD薄膜生长的Monte Carlo模拟
关键字:物理气相沉积 蒙特卡罗模拟 薄膜生长
蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)和分子动力学是模拟薄膜生长的两种基本方法。本文结合各种PVD技术的工艺特点,介绍了薄膜生长的Monte Carlo模拟。详尽地总结了载能粒子沉积薄膜生长的Kinetic Monte Carlo模型和算法。最后指出建立精细的模型、算法并适当应用分子动力学是提高模拟可靠性的方法。
http://www.polymer.cn/research/ct_info44
 
PVD薄膜生长的Monte Carlo模拟
关键字:物理气相沉积 蒙特卡罗模拟 薄膜生长
蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)和分子动力学是模拟薄膜生长的两种基本方法。本文结合各种PVD技术的工艺特点,介绍了薄膜生长的Monte Carlo模拟。详尽地总结了载能粒子沉积薄膜生长的Kinetic Monte Carlo模型和算法。最后指出建立精细的模型、算法并适当应用分子动力学是提高模拟可靠性的方法。
http://www.polymer.cn/research/dis_info134
 
PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
关键字:多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器
用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μm时,为25pA/mm2)。
http://www.polymer.cn/research/ct_info387
 
圆柱靶溅射芯片铜导线中硅盘铜线的均匀度和对称性
关键字:物理气相沉积,溅射,铜互连,角系数
    研究开发了一个角系数模型来模拟低气压下圆柱靶溅射沉积铜连线。研究包含靶上不同部位对铜连线的均匀性和对称性的影响,也包含圆柱靶溅射中的再沉积。研究发现下段柱筒的沉积量大,铜膜在硅盘边缘部分的沟槽中对称性好于上段,但硅盘上铜膜的不均匀性也最严重。当上段柱筒距硅盘距离足够远时,上段柱筒的角系数趋势起到部分抵消中段和下段角系数的不均匀趋势,对沉积铜在硅盘上的均匀性起帮助作用。圆柱顶...
http://www.polymer.cn/research/dis_info6095
 
PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
关键字:多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器
用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μm时,为25pA/mm2)。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1077
 
低电压并五苯晶体管的制备
关键字:有机场效应晶体管 并五苯 物理气相沉积
介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法。通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性。其载流子迁移率达0.3cm2/Vs,并五苯晶体管具有低电压特性。
http://www.polymer.cn/research/dis_info716
 
PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
关键字:多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器
用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μm时,为25pA/mm2)。
http://www.polymer.cn/research/ct_info387
 
圆柱靶溅射芯片铜导线中硅盘铜线的均匀度和对称性
关键字:物理气相沉积,溅射,铜互连,角系数
    研究开发了一个角系数模型来模拟低气压下圆柱靶溅射沉积铜连线。研究包含靶上不同部位对铜连线的均匀性和对称性的影响,也包含圆柱靶溅射中的再沉积。研究发现下段柱筒的沉积量大,铜膜在硅盘边缘部分的沟槽中对称性好于上段,但硅盘上铜膜的不均匀性也最严重。当上段柱筒距硅盘距离足够远时,上段柱筒的角系数趋势起到部分抵消中段和下段角系数的不均匀趋势,对沉积铜在硅盘上的均匀性起帮助作用。圆柱顶...
http://www.polymer.cn/research/dis_info6095
 
 
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