非晶氧化物半导体(AOS)薄膜晶体管(TFT)具有迁移率高、室温制备、适合大面积生产、成本低等优点，引起了学术界和工业界浓厚的兴趣。然而目前报道的TFT通常稳定性较差并且需要大的电压获得大的输出电流。低温制备高稳定并且低操作电压的TFT成为最新的研究热点。本项目在柔性衬底上利用溶胶凝胶和物理溅射技术低温制备基于超薄高k介电层的InMZnO体系AOS TFT。
本项目包括三部分：
1) 利用溶胶凝胶技术和"紫外光退火"工艺在柔性衬底上制备超薄高k介电薄膜，降低薄膜的制备温度。介电薄膜的高k值和低漏电流可以保证TFT的优异性能；
2) 利用溅射技术低温制备InMZnO沟道层，通过改变M元素种类和化学配比，改变实验条件和后退火工艺等提高沟道层的电学性能和稳定性。
3) 在柔性衬底上制备性能优异、可低电压工作、高稳定性的AOS TFT。该TFT在未来的平板显示领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。
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