据IDG新闻社报道，英特尔本周二宣布，从采用45纳米制造工艺的Penryn产品线开始，英特尔微处理器今年将走上无铅化道路。采用65纳米技术的芯片也将在明年实现无铅化。

为了在 其芯片上剔除出铅，英特尔已进行了数年的研究，并为此付出了巨大的代价。在2005年，英特尔曾透露，它已投入了1亿美元来开发在封装芯片时用做焊接材料的铅的替代产品。当时英特尔设定的目标是在2010年实现无铅化。

英特尔没有披露从其处理器上剔除铅的总成本。英特尔说，铅是一种有毒的物质，但其独具的电子和机械整体特性，使它在半导体制造过程中非常有用。

英特尔在2002年首次开始了无铅化努力，当时它生产的闪存使用一种锡/银/铜合金代替了锡/铅焊接材料。到2004年，该公司成功在其芯片组和处理器上替换了大部分的锡/铅合金。不过，在这些芯片内部硅基和芯片封装连接之处，它仍使用了0.02克的铅。

在周二做出宣布之后，英特尔计划使用锡/银/铜合金完全取代目前锡/铅合金。英特尔称，这种变化不会对芯片影响到芯片的性能。